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IXYS IXFN110N60P3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=600 V, 4针 SOT-227B封装

IXYS IXFN110N60P3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=600 V, 4针 SOT-227B封装

品牌XYS
型号IXFN110N60P3

产品技术参数
通道类型 N
最大连续漏极电流 90 A
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 0.056 Ω
最大栅阈值电压 5V
最大栅源电压 ±30 V
封装类型 SOT-227B
安装类型 面板安装
引脚数目 4
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 1500 W
配置 双源
典型输入电容值@Vds 18000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间 77 ns
宽度 25.07mm
每片芯片元件数目 1
高度 9.6mm
最高工作温度 +150 °C
长度 38.23mm
尺寸 38.23 x 25.07 x 9.6mm
典型接通延迟时间 63 ns
典型栅极电荷@Vgs 245 nC @ 10 V
最低工作温度 -55 °C
    粤ICP备16074180号
    蝉知 蝉知5.3.4